檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "陳炤彰".cadvisor (精準) and ckeyword.raw="材料移除率"
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點，於功率元件市場中備受重視，然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難，本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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目前隨著產業與科技的快速發展，固態照明的發光二極體(Light-emitting diode,LED)產業已成為趨勢，故在產業上用途也相當的廣泛，由於LED之基板材料多是以單晶氧化鋁(Al2O3)或…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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晶圓薄化與化學機械拋光平坦化廣泛應用在半導體製程方面，屬於超精密平坦化加工技術。在矽晶圓基板製造、封裝製程之晶圓薄化以及半導體IC製程之線寬縮減等需求下，晶圓薄化以及化學機械拋光平坦化能夠克服日益嚴…
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本研究目的為探討二氧化矽顆粒於化學機械研磨/平坦化(CMP)製程中的加工機制。研究方法是將直徑為800奈米的二氧化矽顆粒黏著於探針尖端，形成顆粒式探針(tip-grit)，與運用封閉式回饋控制系統原…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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近年來由於環保意識抬頭，可達節能減碳目的之LED照明因此快速發展，做為LED照明鍍膜基板的單晶藍寶石晶圓也因此受到重視及探討。然而，單晶藍寶石晶圓為硬度相當高(莫氏硬度9)之硬脆材料，其平坦化之加工…
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在半導體積體電路製程中，局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機，利用電雙層…